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HD810
工作电压 (V)
6.5
极限耐压(V)
8.0
检测电压(V)
2.63/2.93/3.08
驱动电流MAX(V)
5
逻辑电平
高电平有效
延迟(mS)
200
精度%
±2
静态功耗(uA)
2
输出方式
NMOS/CMOS
封装形式
SOT23
生产状态
量产
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