MOSFET Type

N

Configuration

Single

工艺

Trench

封装

SOT-23

ID（A）

VDS

20

VGS(±V)

ESD HBM(KV)

Vgs(th)

.5.751

Rdson @10V

——

Rdson @4.5V

2027

Rdson @2.5V

2244

Ciss

569

Coss

73

Crss

64

生产状态

量产