MOSFET Type

N

Configuration

Single

工艺

Trench

封装

SOT-23

ID（A）

VDS

20

VGS(±V)

ESD HBM(KV)

Vgs(th)

.2.751.5

Rdson @10V

——

Rdson @4.5V

2126

Rdson @2.5V

2632

Ciss

363

Coss

52

Crss

41

生产状态

量产