MOSFET Type

N

Configuration

Single

工艺

Trench

封装

SOT-23

ID（A）

VDS

20

VGS(±V)

ESD HBM(KV)

Vgs(th)

.2.61

Rdson @10V

Rdson @4.5V

1618

Rdson @2.5V

1922

Ciss

659

Coss

100

Crss

88

生产状态

量产