MOSFET Type

N

Configuration

Single

工艺

Trench

封装

SOT-23

ID（A）

VDS

30

VGS(±V)

ESD HBM(KV)

Vgs(th)

.4.751.4

Rdson @10V

Rdson @4.5V

3346

Rdson @2.5V

3651

Ciss

528

Coss

37

Crss

29

生产状态

量产