MOSFET Type

N

Configuration

Single

工艺

Trench

封装

SOT-23

ID（A）

VDS

30

VGS(±V)

ESD HBM(KV)

Vgs(th)

.6.951.7

Rdson @10V

2437

Rdson @4.5V

2539

Rdson @2.5V

3249

Ciss

629

Coss

46

Crss

39

生产状态

量产