MOSFET Type

N

Configuration

Single

工艺

Trench

封装

SOT-23

ID（A）

VDS

30

VGS(±V)

ESD HBM(KV)

Vgs(th)

1.21.72.2

Rdson @10V

18.420

Rdson @4.5V

25.530

Rdson @2.5V

——

Ciss

485

Coss

69

Crss

53

生产状态

量产