MOSFET Type

N

Configuration

Single

工艺

Trench

封装

SOT-23

ID（A）

VDS

30

VGS(±V)

ESD HBM(KV)

Vgs(th)

11.52.5

Rdson @10V

2124

Rdson @4.5V

2932

Rdson @2.5V

——

Ciss

488

Coss

57

Crss

45

生产状态

量产