MOSFET Type

N

Configuration

Single

工艺

Trench

封装

SOT-23

ID（A）

VDS

40

VGS(±V)

ESD HBM(KV)

Vgs(th)

11.92.5

Rdson @10V

3040

Rdson @4.5V

4060

Rdson @2.5V

——

Ciss

528

Coss

35

Crss

30

生产状态

量产