MOSFET Type

N

Configuration

Single

工艺

Trench

封装

SOT-23

ID（A）

VDS

60

VGS(±V)

ESD HBM(KV)

Vgs(th)

11.42

Rdson @10V

7585

Rdson @4.5V

88105

Rdson @2.5V

——

Ciss

442

Coss

29

Crss

23

生产状态

量产