MOSFET Type

N

Configuration

Single

工艺

Trench

封装

SOT-23

ID（A）

VDS

60

VGS(±V)

ESD HBM(KV)

Vgs(th)

11.62.2

Rdson @10V

18002100

Rdson @4.5V

20002900

Rdson @2.5V

Ciss

22

Coss

5.5

Crss

3

生产状态

量产