MOSFET Type

N

Configuration

Single

工艺

Trench

封装

SOT-23-4L

ID（A）

VDS

20

VGS(±V)

ESD HBM(KV)

Vgs(th)

.5.71

Rdson @10V

Rdson @4.5V

2129

Rdson @2.5V

2335

Ciss

394

Coss

51

Crss

42

生产状态

量产