MOSFET Type

N

Configuration

Single

工艺

Trench

封装

SOT-23-6L

ID（A）

VDS

20

VGS(±V)

ESD HBM(KV)

Vgs(th)

.5.81.1

Rdson @10V

Rdson @4.5V

1318

Rdson @2.5V

1622

Ciss

983

Coss

140

Crss

126

生产状态

量产