MOSFET Type

N

Configuration

Single

工艺

Trench

封装

SOT-23-7L

ID（A）

VDS

30

VGS(±V)

ESD HBM(KV)

Vgs(th)

.6.951.3

Rdson @10V

2230

Rdson @4.5V

2435

Rdson @2.5V

2838

Ciss

785

Coss

65

Crss

54

生产状态

量产