MOSFET Type

N

Configuration

Single

工艺

Trench

封装

SOT-23-8L

ID（A）

VDS

30

VGS(±V)

ESD HBM(KV)

Vgs(th)

.6.951.3

Rdson @10V

2831

Rdson @4.5V

3038

Rdson @2.5V

3654

Ciss

499

Coss

37

Crss

30

生产状态

量产