MOSFET Type

N

Configuration

Single

工艺

Trench

封装

SOT-23-10L

ID（A）

VDS

30

VGS(±V)

ESD HBM(KV)

Vgs(th)

.6.91.3

Rdson @10V

1831

Rdson @4.5V

2038

Rdson @2.5V

2454

Ciss

655

Coss

61

Crss

50

生产状态

量产