MOSFET Type

N

Configuration

Single

工艺

Trench

封装

SOT-23-14L

ID（A）

VDS

30

VGS(±V)

ESD HBM(KV)

Vgs(th)

11.62.2

Rdson @10V

12.515

Rdson @4.5V

17.520

Rdson @2.5V

——

Ciss

805

Coss

103

Crss

82

生产状态

量产