MOSFET Type

N

Configuration

Single

工艺

SGT

封装

SOT-23-16L

ID（A）

VDS

100

VGS(±V)

ESD HBM(KV)

Vgs(th)

11.652.1

Rdson @10V

88100

Rdson @4.5V

112180

Rdson @2.5V

——

Ciss

145

Coss

49

Crss

4

生产状态

量产