MOSFET Type

N

Configuration

Single

工艺

Trench

封装

SOT-23-17L

ID（A）

VDS

150

VGS(±V)

ESD HBM(KV)

Vgs(th)

1.42.12.6

Rdson @10V

240288

Rdson @4.5V

——

Rdson @2.5V

——

Ciss

609

Coss

23

Crss

17

生产状态

量产