MOSFET Type

N+P

Configuration

Complementary

工艺

Trench

封装

SOP-8

ID（A）

VDS

30/-30

VGS(±V)

ESD HBM(KV)

Vgs(th)

1/-11.6/-1.62.5/-2.5

Rdson @10V

16/3525/44

Rdson @4.5V

22/4840/61

Rdson @2.5V

——

Ciss

490/502

Coss

79/70

Crss

61/57

生产状态

量产