MOSFET Type

N+P

Configuration

Complementary

工艺

Trench

封装

SOP-8

ID（A）

VDS

30/-30

VGS(±V)

ESD HBM(KV)

Vgs(th)

1/-11.4/-1.52.0/-2.0

Rdson @10V

17/3727/46

Rdson @4.5V

25/6037/72

Rdson @2.5V

——

Ciss

335/307

Coss

54/60

Crss

44/43

生产状态

量产