MOSFET Type

N+P

Configuration

Complementary

工艺

Trench

封装

SOP-8

ID（A）

VDS

40/-40

VGS(±V)

ESD HBM(KV)

Vgs(th)

1.0/-1.01.9/-1.52.2/-2.5

Rdson @10V

27/3140/37.5

Rdson @4.5V

36/3760/46

Rdson @2.5V

——

Ciss

580/1134

Coss

36/86

Crss

32/68

生产状态

量产