MOSFET Type

P

Configuration

Single

工艺

Trench

封装

SOP-8

ID（A）

VDS

-30

VGS(±V)

ESD HBM(KV)

Vgs(th)

-1-1.7-2.5

Rdson @10V

1417

Rdson @4.5V

19.522

Rdson @2.5V

Ciss

1306

Coss

162

Crss

132

生产状态

量产