MOSFET Type

P

Configuration

Single

工艺

Trench

封装

SOP-8

ID（A）

VDS

-30

VGS(±V)

ESD HBM(KV)

Vgs(th)

-1-1.6-2.5

Rdson @10V

3538

Rdson @4.5V

4651

Rdson @2.5V

Ciss

486

Coss

69

Crss

58

生产状态

量产