MOSFET Type

P

Configuration

Single

工艺

Trench

封装

SOP-8

ID（A）

VDS

-100

VGS(±V)

ESD HBM(KV)

Vgs(th)

-1-1.8-2.4

Rdson @10V

302350

Rdson @4.5V

333400

Rdson @2.5V

——

Ciss

1007

Coss

32

Crss

20

生产状态

量产