MOSFET Type

N

Configuration

Dual

工艺

Trench

封装

SOP-8

ID（A）

VDS

20

VGS(±V)

ESD HBM(KV)

Vgs(th)

.3.751.3

Rdson @10V

——

Rdson @4.5V

2025

Rdson @2.5V

2432

Ciss

455

Coss

64

Crss

55

生产状态

量产