MOSFET Type

N

Configuration

Single

工艺

Trench

封装

SOP-8

ID（A）

VDS

30

VGS(±V)

ESD HBM(KV)

Vgs(th)

1.11.62.2

Rdson @10V

9.512.2

Rdson @4.5V

14.520.5

Rdson @2.5V

——

Ciss

829

Coss

99

Crss

84

生产状态

量产