MOSFET Type

N

Configuration

Dual

工艺

Trench

封装

SOP-8

ID（A）

VDS

30

VGS(±V)

ESD HBM(KV)

Vgs(th)

.511.4

Rdson @10V

2126

Rdson @4.5V

2232

Rdson @2.5V

2642

Ciss

746

Coss

58

Crss

46

生产状态

量产