MOSFET Type

N

Configuration

Dual

工艺

Trench

封装

SOP-8

ID（A）

VDS

30

VGS(±V)

ESD HBM(KV)

Vgs(th)

11.62.2

Rdson @10V

1112.3

Rdson @4.5V

15.520.5

Rdson @2.5V

——

Ciss

799

Coss

96

Crss

80

生产状态

量产