MOSFET Type

N

Configuration

Dual

工艺

Trench

封装

SOP-8

ID（A）

VDS

40

VGS(±V)

ESD HBM(KV)

Vgs(th)

11.32.5

Rdson @10V

1422.5

Rdson @4.5V

15.630

Rdson @2.5V

Ciss

1264

Coss

75

Crss

67

生产状态

量产