MOSFET Type

N

Configuration

Dual

工艺

Trench

封装

SOP-8

ID（A）

VDS

60

VGS(±V)

ESD HBM(KV)

Vgs(th)

1.21.52.3

Rdson @10V

910

Rdson @4.5V

1114

Rdson @2.5V

Ciss

3226

Coss

187

Crss

158

生产状态

量产