MOSFET Type

P

Configuration

Single

工艺

Trench

封装

SOP-8

ID（A）

VDS

-30

VGS(±V)

ESD HBM(KV)

Vgs(th)

-1-1.7-2.5

Rdson @10V

8.510.3

Rdson @4.5V

1215

Rdson @2.5V

——

Ciss

3215

Coss

320

Crss

278

生产状态

量产