Part Number MOSFET Type Configuration 工艺 封装 ID(A) VDS VGS(±V) ESD HBM(KV) Vgs(th) Rdson @10V Rdson @4.5V Rdson @2.5V Ciss Coss Crss 生产状态 操作
HD4606C N+P Complementary Trench SOP-8 30/-30 1/-1 1.4/-1.5 2.0/-2.0 17/37 27/46 25/60 37/72 335/307 54/60 44/43 量产 详情
HD4606B N+P Complementary Trench SOP-8 30/-30 1/-1 1.6/-1.6 2.5/-2.5 18/41 25/44 28/56 40/61 392/416 52/56 42/46 量产 详情
HD4606 N+P Complementary Trench SOP-8 30/-30 1/-1 1.6/-1.6 2.5/-2.5 16/35 25/44 22/48 40/61 490/502 79/70 61/57 量产 详情
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